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SK keyfoundry成功開發450V-2300V SiC平面MOSFET工藝平臺，斬獲1200V新品訂單，正式開啟SiC業務全面佈局
成功開發450V-2300V SiC平面MOSFET工藝平臺，確保高可靠性與良率競爭力 啟動為新客戶開發1200V SiC MOSFET，加速SiC化合物半導體代工業務程序 韓國首…
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SK keyfoundry加速碳化矽化合物功率半導體技術開發
-- 透過收購SK powertech掌握核心技術能力，目標2025年底前提供工藝技術 -- 韓國首爾2025年11月12日 /美通社/ -- 韓國8英吋純晶圓代工廠SK keyf…